110年06月09日~6月30日每週三 晚上18:30~21:30 【靜態隨機存取記憶體設計( SRAM Design in Nanoscale CMOS )】

報名網址：https://submic.ee.nctu.edu.tw/curriculum/curriculum.php

同步線上課程 以 google meet 進行

課程目的：

本課程主要講述對奈米尺寸元件的SRAM設計技術，內容包含基礎6T SRAM操作及其週邊電路，奈米尺寸SRAM的設計挑戰及輔助電路技術，不同的SRAM結構，如非對稱SRAM及8T SRAM，及適用於超低功耗操作下的Subthreshold SRAM，最後是前瞻奈米元件，如FD SOI及Multi-gate FinFET，在SRAM應用的設計技術。

課程內容：

1. Introduction
2. 6T SRAM basic cell and peripheral design
3. Design challenges and circuit techniques for nanometer SRAM
4. Impact of reliability and variability
5. 8T SRAM
6. Asymmetrical SRAM
7. Subthreshold SRAM
8. Fully-depleted SOI (FD/SOI) SRAM
9. Multi-gate FinFET SRAM